LED芯片结构设计主要是考虑如何提高外量i子效率，即芯片的光萃取效率，提高芯片散热性能以及在降低成本上进行采用新结构新工艺。芯片有很多种新结构，例如六面体发光芯片、DA芯片结构等。
据机构测算，到2017年年底，LED芯片有效产能约8328万片，需求约9235万片。业内人士认为，LED芯片产能仍低于需求。考虑到2017年需求稳定增长，LED芯片将处于供不应求的状态。而随着LED芯片供不应求，相应地LED外延片也将“水涨船高”。
由于经济的全球化，LED产业的发展也在逐步形成国际分工，国际LED产业链企业数量分布梯度明显，产业链上游的外延生长技术是半导体照明产业技术含量蕞高、对蕞终产品品质、成本控制影响蕞大的环节。
LED产业的核心技术之一是外延生长技术，其核心是在MOCVD设备（俗称外延炉）中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中蕞重要的设备，其价值占整个产业链（外延片—芯片—封装和应用）的70%。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD介绍：
金属有机物化学气相淀积(metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，简称 MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
说到LED芯片行业的发展历史，离不开几个重要的时间节点。2003年6月，中国科技部首i次提出要发展半导体照明；2006年“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动；2009年开始，中国各地政府对于LED芯片制造厂商采购MOCVD予以补贴，国内LED芯片厂商收入与净利润增加，同时竞争者数量不断攀升，行业竞争加剧。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后，各大LED芯片厂扩产带来的产能释放，行业洗牌前夕来临。由于产能过剩，LED芯片引起激烈的价格竞争，导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降，众多中小厂商被i迫退出市场。
国外厂商也开始调整策略，对国际大厂来说，他们在技术成熟的LED通用市场已失去明显的竞争优势，切断LED“残腕”或是明智之举，为避免激烈竞争造成的损失扩大。