3分钟前 亮面标牌曝光显影加工厂承诺守信「利成感光」[利成感光38dbdb8]内容：曝光不足，导致单体聚合不，那么在显影过程中，会使的胶膜变软，线条不清晰，色泽暗淡，脱胶。曝光过度，会造成难显影，留有残胶。同时曝光影响图案的线宽，过量曝光会使图形线条变细，蚀刻产品线条变粗。所以好的办法是依据显影的干膜光亮程度，图像清晰度，图案线条与底片相符，曝光设备参数和感光性能，确定适合的曝光时间。

曝光显影是一种摄影技术中常用的过程，通常用于将摄影底片或者电子传感器中记录的光影信息转化为可见影像的过程。曝光是将光照射在底片或传感器上的过程，而显影则是将暴露的底片或传感器做出可见影像的过程。这个过程在摄影，印刷和微电子制造等很多领域中都有应用。曝光显影是一种用于光刻制程的技术，主要用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件。它包含两个阶段：曝光：在将光线通过掩膜中的芯片图案照射到光刻胶表面的过程中，使得光刻胶在芯片表面保留下芯片图案的影像。显影：通过将芯片表面的光刻胶所形成的图案暴露在显影液中进行刻蚀，去除光刻胶的非芯片图案区域，使得芯片上仅保留出所需要的器件结构。

当照相底片上的光密度小于2.8时，紫外光可透过底片上的不透明区，使不透明区下面的干膜局部发生聚合；当底片上的光密底大于o.2时，紫外光难于穿过底片透明区，延长了曝光时间。为此建议底片上光密度大于4，光密度小于o.2。当照相底片上的光密度小于2.8时，紫外光可透过底片上的不透明区，使不透明区下面的干膜局部发生聚合；当底片上的光密底大于o.2时，紫外光难于穿过底片透明区，延长了曝光时间。为此建议底片上光密度大于4，光密度小于o.2。

曝光显影工艺主要应用于微电子加工中，是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。

曝光显影工艺可以分为以下步骤：

显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，在此过程中，光刻胶会在掩膜中没有被曝光的部分（即需要去除的图案区域）中被消蚀，并暴露出硅片表面。刻蚀：在暴露出的芯片表面上利用化学或物理方法以去除未被的光刻胶保护的硅表面材料，制造出所需的芯片图案。这些步骤相互整合，完成硅片的制造。在不同的制造要求下，整个曝光显影工艺过程的条件和具体流程可能会有所不同。